SOME FEATURES OF THE ABSORPTION SPECTRA OF Pb1-xGexTe CRYSTALS IN THE VICINITY OF THE PHASE TRANSITION
DOI:
https://doi.org/10.30888/2663-5712.2025-29-01-003Keywords:
ferroelectrics, paraelectrics, intrinsic absorption edge, phase transition, electron-phonon interactionAbstract
The article presents the results of an experimental study of the intrinsic optical absorption spectra of Pb1-xGexTe crystals for different temperatures (77 – 450 K). The authors paid special attention to the intrinsic absorption spectra in the vicinity ofMetrics
References
Лучицкий Р.М., Старик П.М. Экспериментальные особенности краевого поглощения кристаллов при фазовом переходе. // ФТТ, 1982, Т.24, №7, C.2213-2215.
Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова П.И., Слинько Е.И., Хохлов Д.Р., Штанов В.И. Неравновесные процессы и сегнето-электрический фазовый переход в кристалах Pb1–xGexTe(Ga). // Физика низких температур, 2004, Т.30, №11, C.1209-1213.
Квятковский О.Е. Теория спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках типа смещения. // ФТТ, 1996, Т.38, №3. - С.728 -740
Anteliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic – rhombohedral phase transition in Pb1-xGexTe. // Sol. State Commun., 1973, V.13,
№ 7, P.1003-1006.
Kawamura H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV-VI compounds. // In: Proc. 3rd Int. Conf. Phys. Narrow-Gap Semicond. Warszawa, 1978, P. 7-24.
Заметин В.И., Якубовский М.А., Рабкин Л.М. Аномалия края поглощения при фазовых переходах. // ФТТ, 1979, T.21, №2, C.491-496.
Бурцев Е.В. Флуктуации поляризации и правило Урбаха в одноосных сегнетоелектриках. // Оптика и спектроскопия. 1980, Т.48, № 1, С.80-84.
Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Шотов А.П. Влияние ФП на ширину запрещенной зоны в Pb1-xGexTe. // Краткие сообщ. по физике, 1978, № 9,
C. 36-42.
Murase K., Sugai S., Higuchi T., Takaoka S., Fukunada T. and Kawamura H. Band-gap and phase transformation in IV-VI semiconductor // In: Proc. 14th Int. Conf. Phys. of Semicond. Edinburgh,1978, P. 437-440.
Natori A. Displacive phase transition in narrow-gap semiconductors. – J. Phys. Soc. Japan, 1976, V. 40, № 1, P. 163-171.
Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Копиловский Б.Д. Шотов А.П. Влияние сегнетоэлектрического ФП на электрические характеристики р-n перехода в Pb 1-xGexTe. // ФТП, 1978, T.12, № 6, С. 1132-1137.
Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. // J. Phys. Cem. Solids, 1972, V.33, № 11, P. 2053-2062.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Copyright (c) 2025 Authors
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
